제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 500µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
80nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7540pF @ 15V
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP Advance (5x5)