Comchip Technology - CDBJSC8650-G

KEY Part #: K6429760

CDBJSC8650-G 가격 (USD) [51723PC 주식]

  • 1 pcs$0.75597

부품 번호:
CDBJSC8650-G
제조사:
Comchip Technology
상세 설명:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC8650-G 제품 속성

부품 번호 : CDBJSC8650-G
제조사 : Comchip Technology
기술 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 650V
전류 - 평균 정류 (Io) : 8A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 8A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F : 560pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-2
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C

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