Infineon Technologies - IPA70R360P7SXKSA1

KEY Part #: K6418473

IPA70R360P7SXKSA1 가격 (USD) [64496PC 주식]

  • 1 pcs$0.58952
  • 10 pcs$0.52053
  • 100 pcs$0.41128
  • 500 pcs$0.30171
  • 1,000 pcs$0.23819

부품 번호:
IPA70R360P7SXKSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 다이오드 - 정류기 - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IPA70R360P7SXKSA1 electronic components. IPA70R360P7SXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA70R360P7SXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA70R360P7SXKSA1 제품 속성

부품 번호 : IPA70R360P7SXKSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
시리즈 : CoolMOS™ P7
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 12.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3.5V @ 150µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 16.4nC @ 10V
Vgs (최대) : ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 517pF @ 400V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 26.4W (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스 : TO-220-3 Full Pack

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.