기술 :
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.6V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
600pF @ 20V
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6