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Microsemi Corporation - APT1204R7BFLLG

KEY Part #: K6398493

APT1204R7BFLLG 가격 (USD) [8253PC 주식]

  • 1 pcs$5.49553
  • 10 pcs$4.99401
  • 100 pcs$4.24500
  • 500 pcs$3.62072
부품 번호:
APT1204R7BFLLG
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT1204R7BFLLG 제품 속성

부품 번호 : APT1204R7BFLLG
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
시리즈 : POWER MOS 7®
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (최대) : ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 715pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 135W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-247 [B]
패키지 / 케이스 : TO-247-3

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