ON Semiconductor - HGTP3N60A4D

KEY Part #: K6424899

HGTP3N60A4D 가격 (USD) [66382PC 주식]

  • 1 pcs$0.59197
  • 800 pcs$0.58902

부품 번호:
HGTP3N60A4D
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
IGBT 600V 17A 70W TO220AB.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor HGTP3N60A4D electronic components. HGTP3N60A4D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP3N60A4D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP3N60A4D 제품 속성

부품 번호 : HGTP3N60A4D
제조사 : ON Semiconductor
기술 : IGBT 600V 17A 70W TO220AB
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 17A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 40A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 3A
전력 - 최대 : 70W
스위칭 에너지 : 37µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 21nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 6ns/73ns
시험 조건 : 390V, 3A, 50 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : 29ns
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-3