기술 :
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.1V @ 500µA (Typ)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
13nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
200pF @ 1000V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스 :
TO-263-7 (Straight Leads)