RGF1BHE3/67A 가격 (USD) [506068PC 주식]
- 1 pcs$0.07309
- 6,000 pcs$0.06624
- 부품 번호:
- RGF1BHE3/67A
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1BHE3/67A electronic components. RGF1BHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1BHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1BHE3/67A 제품 속성
부품 번호 :
RGF1BHE3/67A
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
시리즈 :
SUPERECTIFIER®
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
100V
전류 - 평균 정류 (Io) :
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.3V @ 1A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
150ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
DO-214BA
공급 업체 장치 패키지 :
DO-214BA (GF1)
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C
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