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GeneSiC Semiconductor - DB103G

KEY Part #: K6540100

DB103G 가격 (USD) [135537PC 주식]

  • 1 pcs$0.26498
  • 10 pcs$0.22385
  • 25 pcs$0.19569
  • 100 pcs$0.16777
  • 250 pcs$0.14540
  • 500 pcs$0.12303
  • 1,000 pcs$0.09507
  • 2,500 pcs$0.08668
  • 5,000 pcs$0.08109
부품 번호:
DB103G
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB. Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140R
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
We specialize in GeneSiC Semiconductor DB103G electronic components. DB103G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB103G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB103G 제품 속성

부품 번호 : DB103G
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Single Phase
과학 기술 : Standard
전압 - 피크 역방향 (최대) : 200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.1V @ 1A
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 200V
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
공급 업체 장치 패키지 : DB
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