TPCC8103(TE12L,QM) 가격 (USD) [76032PC 주식]
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- 10 pcs$0.49921
- 100 pcs$0.39460
- 500 pcs$0.28947
- 1,000 pcs$0.22853
- 부품 번호:
- TPCC8103(TE12L,QM)
- 상세 설명:
- MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8103(TE12L,QM) electronic components. TPCC8103(TE12L,QM) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCC8103(TE12L,QM), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCC8103(TE12L,QM) 제품 속성
부품 번호 :
TPCC8103(TE12L,QM)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
시리즈 :
U-MOSV
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1600pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
700mW (Ta), 27W (Tc)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
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