제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
COMPLEMENTARY N P-CHANNEL POWE
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
103 mOhm @ 2.5A, 10V, 180 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
527pF @ 30V, 436pF @ 30V
전력 - 최대 :
1.4W (Ta), 5.7W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)