Vishay Siliconix - IRFZ14STRR

KEY Part #: K6414133

[12860PC 주식]


    부품 번호:
    IRFZ14STRR
    제조사:
    Vishay Siliconix
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFZ14STRR electronic components. IRFZ14STRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ14STRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFZ14STRR 제품 속성

    부품 번호 : IRFZ14STRR
    제조사 : Vishay Siliconix
    기술 : MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
    시리즈 : -
    부품 상태 : Active
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±20V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 300pF @ 25V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : D2PAK
    패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • IRFR3103TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK.

    • IRFR3103TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK.

    • IRFR5505

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRFR9120NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9120NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9024NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.