Infineon Technologies - FF300R12KE3HOSA1

KEY Part #: K6534412

FF300R12KE3HOSA1 가격 (USD) [668PC 주식]

  • 1 pcs$69.45387

부품 번호:
FF300R12KE3HOSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT MODULE VCES 600V 300A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies FF300R12KE3HOSA1 electronic components. FF300R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF300R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF300R12KE3HOSA1 제품 속성

부품 번호 : FF300R12KE3HOSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT MODULE VCES 600V 300A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
구성 : 2 Independent
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 440A
전력 - 최대 : 1450W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 300A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 21nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : No
작동 온도 : -40°C ~ 125°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.