Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5407GP-E3/73

KEY Part #: K6440310

1N5407GP-E3/73 가격 (USD) [283149PC 주식]

  • 1 pcs$0.13063
  • 2,000 pcs$0.11839

부품 번호:
1N5407GP-E3/73
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,800V, STD SUPERECT
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407GP-E3/73 제품 속성

부품 번호 : 1N5407GP-E3/73
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 800V
전류 - 평균 정류 (Io) : 3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 3A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-201AD, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-201AD
작동 온도 - 정션 : -50°C ~ 150°C

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