기술 :
MOSFET N-CH 40V 41A SO8FL
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
41A (Ta), 270A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
5700pF @ 20V
전력 발산 (최대) :
3.2W (Ta), 140W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)