기술 :
IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
구동 구성 :
High-Side or Low-Side
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
300mA, 600mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
600V
상승 / 하강 시간 (일반) :
70ns, 35ns
작동 온도 :
-40°C ~ 125°C (TA)
패키지 / 케이스 :
8-DIP (0.300", 7.62mm)