기술 :
650V 10A SIC SBD GEN1.5
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형 :
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
650V
전류 - 평균 정류 (Io) :
27A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.7V @ 10A
속도 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
40µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F :
421pF @ 1V, 100kHz
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 :
D2PAK-3 (TO-263)
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 175°C