제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250mA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)