IPAN60R800CEXKSA1 가격 (USD) [85018PC 주식]
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- 500 pcs$0.20665
- 1,000 pcs$0.16314
- 부품 번호:
- IPAN60R800CEXKSA1
- 상세 설명:
- MOSFET NCH 600V 8.4A TO220.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1 electronic components. IPAN60R800CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAN60R800CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAN60R800CEXKSA1 제품 속성
부품 번호 :
IPAN60R800CEXKSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
시리즈 :
CoolMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
8.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 170µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
373pF @ 100V
FET 특징 :
Super Junction
전력 발산 (최대) :
27W (Tc)
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO220 Full Pack
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack
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