기술 :
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10A, 4V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
37nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3000pF @ 20V
전력 발산 (최대) :
2W (Ta), 20W (Tc)
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack