기술 :
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 300mA, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
250pF @ 25V
공급 업체 장치 패키지 :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
패키지 / 케이스 :
4-DIP (0.300", 7.62mm)