기술 :
MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
850pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
12-SIP w/fin