Toshiba Semiconductor and Storage - HN2D01JE(TE85L,F)

KEY Part #: K6470224

HN2D01JE(TE85L,F) 가격 (USD) [1060332PC 주식]

  • 1 pcs$0.03488

부품 번호:
HN2D01JE(TE85L,F)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN2D01JE(TE85L,F) 제품 속성

부품 번호 : HN2D01JE(TE85L,F)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 구성 : 2 Independent
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 80V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 100mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 100mA
속도 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 회복 시간 (trr) : 1.6ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 500nA @ 80V
작동 온도 - 정션 : 150°C (Max)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOT-553
공급 업체 장치 패키지 : ESV

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