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ON Semiconductor - FDD5353

KEY Part #: K6409680

FDD5353 가격 (USD) [129401PC 주식]

  • 1 pcs$0.28726
  • 2,500 pcs$0.28584
부품 번호:
FDD5353
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 어레이, 전원 드라이버 모듈 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor FDD5353 electronic components. FDD5353 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5353, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD5353 제품 속성

부품 번호 : FDD5353
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
시리즈 : PowerTrench®
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11.5A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3215pF @ 30V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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