시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11A (Ta), 68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 70µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1140pF @ 40V
전력 발산 (최대) :
3.2W (Ta), 107W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-WDFN (3.3x3.3)