Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5230B-TAP

KEY Part #: K6516931

1N5230B-TAP 가격 (USD) [3081431PC 주식]

  • 1 pcs$0.01200
  • 30,000 pcs$0.01076

부품 번호:
1N5230B-TAP
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35. Zener Diodes 4.7 Volt 0.5W 5%
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5230B-TAP 제품 속성

부품 번호 : 1N5230B-TAP
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 4.7V
공차 : ±5%
전력 - 최대 : 500mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 19 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 2V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.1V @ 200mA
작동 온도 : 175°C
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-204AH, DO-35, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-35

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