HGTD7N60C3S9A 가격 (USD) [102687PC 주식]
- 1 pcs$0.38078
- 2,500 pcs$0.34557
- 부품 번호:
- HGTD7N60C3S9A
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- IGBT 600V 14A 60W TO252AA.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor HGTD7N60C3S9A electronic components. HGTD7N60C3S9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTD7N60C3S9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTD7N60C3S9A 제품 속성
부품 번호 :
HGTD7N60C3S9A
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
IGBT 600V 14A 60W TO252AA
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
IGBT 유형 :
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
14A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
56A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 7A
전력 - 최대 :
60W
스위칭 에너지 :
165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
23nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
-
시험 조건 :
-
역 회복 시간 (trr) :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 :
TO-252AA
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