Microsemi Corporation - 1N5809US

KEY Part #: K6426619

1N5809US 가격 (USD) [8275PC 주식]

  • 1 pcs$4.97550
  • 10 pcs$4.47707
  • 25 pcs$4.07894
  • 100 pcs$3.68108
  • 250 pcs$3.38260
  • 500 pcs$3.08413

부품 번호:
1N5809US
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5809US 제품 속성

부품 번호 : 1N5809US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
전류 - 평균 정류 (Io) : 3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 875mV @ 4A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 30ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지 : B, SQ-MELF
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C

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