해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. 집
  2. 제품
  3. 집적 회로 (IC)
  4. 기억
  5. TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI4

KEY Part #: K937136

TC58NYG2S0HBAI4 가격 (USD) [15996PC 주식]

  • 1 pcs$2.86455
부품 번호:
TC58NYG2S0HBAI4
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. PMIC - 게이트 드라이버, 클록 / 타이밍 - 클록 발생기, PLL, 주파수 합성기, 로직 - 멀티 바이브레이터, PMIC - PoE (Power over Ethernet) 컨트롤러, PMIC - 전류 레귤레이션 / 관리, 인터페이스 - 아날로그 스위치 - 특수용, 선형 - 비디오 프로세싱 and 클록 / 타이밍 - 지연 라인 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI4 electronic components. TC58NYG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI4 제품 속성

부품 번호 : TC58NYG2S0HBAI4
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : -
메모리 인터페이스 : -
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 63-TFBGA (9x11)

최근 소식

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R

뜨거운 부품