IPP80N06S2L09AKSA2 가격 (USD) [99902PC 주식]
- 1 pcs$0.39139
- 500 pcs$0.32064
- 부품 번호:
- IPP80N06S2L09AKSA2
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA2 electronic components. IPP80N06S2L09AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N06S2L09AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP80N06S2L09AKSA2 제품 속성
부품 번호 :
IPP80N06S2L09AKSA2
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
시리즈 :
OptiMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 125µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2620pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
190W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3