Infineon Technologies - 56DN06B01ELEMXPSA1

KEY Part #: K6428573

56DN06B01ELEMXPSA1 가격 (USD) [286PC 주식]

  • 1 pcs$161.79385

부품 번호:
56DN06B01ELEMXPSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
DIODE GEN PURP 600V 8400A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 사이리스터 - 트라이 액 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

56DN06B01ELEMXPSA1 제품 속성

부품 번호 : 56DN06B01ELEMXPSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : DIODE GEN PURP 600V 8400A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 8400A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 980mV @ 8000A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100mA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : DO-200AB, B-PUK
공급 업체 장치 패키지 : -
작동 온도 - 정션 : -40°C ~ 180°C

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