제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 10µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
160pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-VQFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
6-PQFN (2x2)