제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
트랜지스터 유형 :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363