Microsemi Corporation - APT100MC120JCU2

KEY Part #: K6396592

APT100MC120JCU2 가격 (USD) [386PC 주식]

  • 1 pcs$119.97436
  • 10 pcs$114.18198
  • 25 pcs$110.04488

부품 번호:
APT100MC120JCU2
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100MC120JCU2 제품 속성

부품 번호 : APT100MC120JCU2
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 143A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.3V @ 2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 360nC @ 20V
Vgs (최대) : +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 5960pF @ 1000V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 600W (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-227
패키지 / 케이스 : SOT-227-4, miniBLOC

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