제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
134A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 70A
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
19ns/170ns
시험 조건 :
433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
T-MAX™ [B2]