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Microsemi Corporation - APT13GP120BDQ1G

KEY Part #: K6422297

APT13GP120BDQ1G 가격 (USD) [12204PC 주식]

  • 1 pcs$3.39375
  • 72 pcs$3.37686
부품 번호:
APT13GP120BDQ1G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT 1200V 41A 250W TO247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Microsemi Corporation APT13GP120BDQ1G electronic components. APT13GP120BDQ1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT13GP120BDQ1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT13GP120BDQ1G 제품 속성

부품 번호 : APT13GP120BDQ1G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT 1200V 41A 250W TO247
시리즈 : POWER MOS 7®
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 41A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 50A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 13A
전력 - 최대 : 250W
스위칭 에너지 : 115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 55nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 9ns/28ns
시험 조건 : 600V, 13A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-247 [B]

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