Microsemi Corporation - APT40GP90BG

KEY Part #: K6422235

APT40GP90BG 가격 (USD) [5349PC 주식]

  • 1 pcs$7.70344
  • 10 pcs$7.00449
  • 25 pcs$6.47900
  • 100 pcs$5.95368
  • 250 pcs$5.42835

부품 번호:
APT40GP90BG
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT 900V 100A 543W TO247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40GP90BG 제품 속성

부품 번호 : APT40GP90BG
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT 900V 100A 543W TO247
시리즈 : POWER MOS 7®
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 900V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 160A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 40A
전력 - 최대 : 543W
스위칭 에너지 : 825µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 145nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 16ns/75ns
시험 조건 : 600V, 40A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-247 [B]

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