Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-E3/TR

KEY Part #: K6452662

BYG10J-E3/TR 가격 (USD) [833970PC 주식]

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부품 번호:
BYG10J-E3/TR
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-E3/TR 제품 속성

부품 번호 : BYG10J-E3/TR
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Avalanche
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 1.5A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.15V @ 1.5A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 4µs
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-214AC, SMA
공급 업체 장치 패키지 : DO-214AC (SMA)
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

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