제조사 :
Renesas Electronics America Inc.
기술 :
IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC
구동 구성 :
High-Side or Low-Side
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2V
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
-
상승 / 하강 시간 (일반) :
20ns, 20ns
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)