NXP USA Inc. - PMV65UN,215

KEY Part #: K6403098

[2476PC 주식]


    부품 번호:
    PMV65UN,215
    제조사:
    NXP USA Inc.
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
    경쟁 우위:
    We specialize in NXP USA Inc. PMV65UN,215 electronic components. PMV65UN,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV65UN,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV65UN,215 제품 속성

    부품 번호 : PMV65UN,215
    제조사 : NXP USA Inc.
    기술 : MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.2A (Ta)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 76 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 3.9nC @ 4.5V
    Vgs (최대) : ±8V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 183pF @ 10V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : TO-236AB (SOT23)
    패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다