제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
400V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.3V @ 800mA
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C