기술 :
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
6V, 9.6V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
6A, 6A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
600V
상승 / 하강 시간 (일반) :
25ns, 17ns
작동 온도 :
-40°C ~ 125°C (TA)
패키지 / 케이스 :
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)