Infineon Technologies - AUIRFR5410TRL

KEY Part #: K6416252

AUIRFR5410TRL 가격 (USD) [115553PC 주식]

  • 1 pcs$0.32009
  • 3,000 pcs$0.29366

부품 번호:
AUIRFR5410TRL
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - 트라이 액 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFR5410TRL electronic components. AUIRFR5410TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFR5410TRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFR5410TRL 제품 속성

부품 번호 : AUIRFR5410TRL
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
시리즈 : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 760pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 66W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : D-Pak
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.