BYM12-150HE3_A/I 가격 (USD) [777077PC 주식]
- 1 pcs$0.04760
- 부품 번호:
- BYM12-150HE3_A/I
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 전원 드라이버 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-150HE3_A/I electronic components. BYM12-150HE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-150HE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM12-150HE3_A/I 제품 속성
부품 번호 :
BYM12-150HE3_A/I
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
150V
전류 - 평균 정류 (Io) :
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 1A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
50ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
DO-213AB, MELF (Glass)
공급 업체 장치 패키지 :
DO-213AB
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
-
-
-
-
DPG10IM300UC
IXYS
DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V
-
-
뜨거운 부품
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08