Microsemi Corporation - JAN1N5806US

KEY Part #: K6427762

JAN1N5806US 가격 (USD) [7195PC 주식]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244

부품 번호:
JAN1N5806US
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 5
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5806US 제품 속성

부품 번호 : JAN1N5806US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
시리즈 : Military, MIL-PRF-19500/477
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 150V
전류 - 평균 정류 (Io) : 2.5A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 975mV @ 2.5A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 25ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, A
공급 업체 장치 패키지 : D-5A
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C

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