제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
30.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.7V @ 1.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
86nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3000pF @ 300V
공급 업체 장치 패키지 :
4-DFN-EP (8x8)
패키지 / 케이스 :
4-VSFN Exposed Pad