제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
50mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
1V @ 500mA, 20mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
100 @ 20mA, 5V
패키지 / 케이스 :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body