기술 :
MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate, 4V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
35V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
64 mOhm @ 4.5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
280pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)