[12342PC 주식]
- 부품 번호:
- STP6NC60
- 제조사:
- STMicroelectronics
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 600V 6A TO-220.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - 특수용 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in STMicroelectronics STP6NC60 electronic components. STP6NC60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP6NC60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP6NC60 제품 속성
부품 번호 :
STP6NC60
제조사 :
STMicroelectronics
기술 :
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
시리즈 :
PowerMESH™ II
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
45.5nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1020pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
125W (Tc)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220AB
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- BUK9C5R3-100EJ
- AON6758_103
- 2SK4066-DL-1EX
- IPB65R065C7ATMA1
- IXFN64N50PD2
- GP1M008A025FG
- AON6370_002
- AON6244
- NTD23N03RT4G
- IRL3715ZCSTRRP
- IPS20N03L G
- IPP07N03LB G
- BUZ31L
- BSS119 E6433
- IXTH30N50
- BS250PSTOB
- AO4430L_102
- NTZS3151PT1H
- NTMSD3P102R2
- IPD05N03LA G
- HUFA75343S3S
- IRLR2905TRR
- IRFR1N60ATR
- IPW60R075CPAFKSA1
- IRLU3103
- STD8NM60N
- STS9NF30L
- IPT043N15N5ATMA1
- AUIRF4905STRL
- IPB80N06S2L07ATMA3
- IRF6775MTRPBF
- PSMN6R9-100YSFQ
- IRF6892STRPBF
- IRF9Z34NSTRRPBF
- BUK663R5-30C,118
- SI5403DC-T1-GE3
- BSF035NE2LQXUMA1
- IRF7807VTRPBF
- SIR836DP-T1-GE3
- IPD50R650CEAUMA1