IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SI

KEY Part #: K1223652

IXDN602SI 가격 (USD) [48589PC 주식]

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  • 10 pcs$0.84832
  • 25 pcs$0.75726
  • 100 pcs$0.68154
  • 250 pcs$0.60583
  • 500 pcs$0.53010
  • 1,000 pcs$0.43923
  • 2,500 pcs$0.40894
  • 5,000 pcs$0.39379

부품 번호:
IXDN602SI
제조사:
IXYS Integrated Circuits Division
상세 설명:
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 선형 - 증폭기 - 계측, OP 앰프, 버퍼 앰프, PMIC - 전압 조정기 - 선형 레귤레이터 컨트롤러, PMIC - 배전 스위치, 부하 드라이버, 인터페이스 - 전문화 됨, 클록 / 타이밍 - 지연 라인, 인터페이스 - 코덱, 데이터 수집 - 터치 스크린 컨트롤러 and 클럭 / 타이밍 - 실시간 클럭 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDN602SI 제품 속성

부품 번호 : IXDN602SI
제조사 : IXYS Integrated Circuits Division
기술 : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
시리즈 : -
부품 상태 : Active
구동 구성 : Low-Side
채널 유형 : Independent
드라이버 수 : 2
게이트 유형 : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압 - 공급 : 4.5V ~ 35V
논리 전압 - VIL, VIH : 0.8V, 3V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) : 2A, 2A
입력 유형 : Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) : -
상승 / 하강 시간 (일반) : 7.5ns, 6.5ns
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOIC-EP

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