IXDN602SI 가격 (USD) [48589PC 주식]
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- 250 pcs$0.60583
- 500 pcs$0.53010
- 1,000 pcs$0.43923
- 2,500 pcs$0.40894
- 5,000 pcs$0.39379
- 부품 번호:
- IXDN602SI
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 인터페이스 - 드라이버, 수신기, 트랜시버, 임베디드 - FPGA (필드 프로그래머블 게이트 어레이), 선형 - 아날로그 곱셈기, 분배기, 로직 - 멀티 바이브레이터, PMIC - 조명, 안정기 컨트롤러, 인터페이스 - 필터 - 활성, 임베디드 - 마이크로 컨트롤러 and 인터페이스 - 직접 디지털 합성 (DDS) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SI electronic components. IXDN602SI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDN602SI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXDN602SI 제품 속성
부품 번호 :
IXDN602SI
제조사 :
IXYS Integrated Circuits Division
기술 :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
구동 구성 :
Low-Side
채널 유형 :
Independent
드라이버 수 :
2
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압 - 공급 :
4.5V ~ 35V
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 3V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
2A, 2A
입력 유형 :
Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
-
상승 / 하강 시간 (일반) :
7.5ns, 6.5ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOIC-EP
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